ยกระดับโซลาร์เซลล์ด้วย”ซิลิกอนดำ”

นักวิทยาศาสตร์มหาวิทยาลัยอัลโต ประเทศฟินแลนด์ ปรับปรุงประสิทธิภาพของ
โซลาร์เซลล์ด้วยการใช้ซิลิกอนดำ (Black Silicon) จนประสิทธิภาพดีขึ้นอย่างเห็นได้ชัด

 
นักวิจัยนำเสนอผลการทดลองที่แสดงว่า ประสิทธิภาพการดูดซับแสงและการเคลือบพื้นผิวของซิลิกอนโครงสร้างนาโนดีขึ้นอย่างเห็นได้ชัด ซึ่งเป็นผลมาจากการเคลือบด้วยชั้นของอะตอม นับเป็นความก้าวหน้าครั้งสำคัญของวงการการพัฒนาอุปกรณ์ที่ต้องการการตอบสนองต่อแสงที่ไว เช่น โซลาร์เซลล์ประสิทธิภาพสูง
 
“วิธีการนี้เป็นการเคลือบพื้นผิวที่ดีมาก ในขณะเดียวกัน มันก็ลดการสะท้อนของแสงทุกความยาวคลื่นได้เป็นอย่างดีเลย” พายวิคกี้ เรโป นักวิจัยที่มหาวิทยาลัยอัลโตอธิบาย
 
“ผลการทดลองครั้งนี้น่าสนใจเป็นอย่างมาก เพราะเราใช้ซิลิกอนดำ (b-Si) มาเคลือบโซลาร์เซลล์เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพจนไปถึงอีกระดับหนึ่งเลย”
 
วิธีการเคลือบนี้มีประสิทธิภาพกว่าที่ผ่านมา ซึ่งจัดว่าเป็นกระบวนการที่สำคัญที่จะทำให้นำไปใช้ในเชิงพาณิชย์ได้ การเคลือบผิวที่ดีเป็นสิ่งสำคัญต่ออุปกรณ์ที่ใช้ประโยชน์จากแสงเป็นต้นว่าโซลาร์เซลล์
 
นอกจากนี้ หากว่าตัวส่งผ่านประจุของโครงสร้างนาโนไม่ดี ก็จะได้ผลเสียมากกว่าผลดีที่ได้จากการสะท้อนที่ลดลงไป
 
ทั้งนี้ ซิลิกอนดำยังสามารถนำไปใช้ในอุตสาหกรรมอื่นนอกจากโซลาร์เซลล์ได้อีก เช่น การวิเคราะห์และสังเคราะห์ยา
 
ปัจจุบัน ซิลิกอนดำเป็นสิ่งที่กำลังได้รับความสนใจจากหลายๆสาขาวิชา รวมทั้งสาขาพลังงานศักย์แสง เพราะมันสามารถลดการสะท้อนของแสงได้จนต่ำกว่า 1 เปอร์เซ็นต์ แต่อย่างไรก็ตาม อุปกรณ์ที่ใช้ซิลิกอนดำ โดยเฉพาะอย่างยิ่งโซลาเซลล์ มักจะมีการตอบสนองต่อแสงที่แคบลง โดยเฉพาะแสงความยาวคลื่นสั้นๆ ซึ่งนักวิจัยต้องทำงานวิจัยอย่างระมัดระวังเพื่อให้ประสิทธิภาพยังมากพอที่จะนำไปใช้งานได้จริง
 
ที่มา : logo_vcharkarn
อ้างอิง: Aalto University (2013, January 18). Black silicon can take efficiency of solar cells to new levels. ScienceDaily. Retrieved January 20, 2013, from http://www.sciencedaily.com/releases/2013/01/130118064723.htm
งานวิจัย: Päivikki Repo, Antti Haarahiltunen, Lauri Sainiemi, Marko Yli-Koski, Heli Talvitie, Martin C. Schubert, Hele Savin. Effective Passivation of Black Silicon Surfaces by Atomic Layer Deposition. IEEE Journal of Photovoltaics, 2013; 3 (1): 90 DOI: 10.1109/JPHOTOV.2012.2210031
1326 เยียมชมหน้านี้ทั้งหมด 1 ผู้เยี่ยมชมวันนี้